专注芯片设计十余载，出货量亿量级 华翼微重量级芯片即将流片

硅衬底因江西代表团在2015年两会上提出将硅衬底LED产业化上升为国家战略予以重点推进，专注载一时之间硅衬底成了替代蓝宝石衬底的主角。

因此，芯片芯片将低指数晶面转变为高活性晶面将具有重要意义。目前，设计余制备高活性晶面的主要方法是通过调节金属催化剂的形貌来获得高指数晶面。

HEAs催化剂目前绝大多数都是无序固溶体合金，出货具有更加突出特性的结构有序的高熵金属间化合物(HEI)纳米催化剂却很少被报道。相关研究工作以EngineeringStructurallyOrderedHigh-EntropyIntermetallicNanoparticleswithHigh-ActivityFacetsforOxygenReductioninPracticalFuelCells为题发表在国际顶级期刊JournaloftheAmericanChemicalSociety上，量亿量级量级流片夏定国教授为通讯作者，量亿量级量级流片冯广博士为第一作者。PIFCC-HEINPs在碳载体上分布均匀，华翼平均粒径为6nm。

相比之下，微重低指数晶面具有更好的热力学稳定性，但催化活性往往不如高指数晶面。多组分高熵合金(HEAs)、专注载原子有序金属间化合物和具有高活性面的特定纳米晶体等热门材料作为先进的催化剂，专注载尽管表现出良好的应用前景，但目前的研究仍遭受各种局限和挑战。

 三、芯片芯片【核心创新点】1.首次报道了具有超高活性晶面的结构有序的高熵金属间化合物纳米颗粒（PIFCC-HEINPs），芯片芯片在氧还原反应(ORR)和H2/O2燃料电池中都具有极为优异的活性和稳定性，优于商用Pt/C催化剂和大多数已报道的催化剂，表现出顶级的性能。

设计余©2023AmericanChemicalSociety图5PIFCC-HEIs对ORR的作用机制揭示。出货图8：高熵电催化剂绕过线性关系的限制。

量亿量级量级流片图5：高熵电催化剂的理性设计。华翼图7：AGAT模型的可解释性。

微重论文进一步揭示了高熵催化剂绕过线性关系约束的机制。通过理解AGAT模型，专注载本文表明吸附质对表面原子地影响局限在3近邻或4.5Å以内。